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磁阻器件、磁头、磁存储设备以及磁存储器制造技术
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文档序号:3173038
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一种CPP型磁阻器件,包括:磁化被钉扎层;磁化自由层;以及非磁层,设置在所述磁化被钉扎层与所述磁化自由层之间。所述磁化自由层和所述磁化被钉扎层的至少其中一个由CoFeGe形成,所述CoFeGe的成分落入三元成分图表中由连接坐标点A、B、C、...
该专利属于富士通株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过富士通株式会社授权不得商用。
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