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提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法，其特征在于，该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三（３－氨丙基）胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层...该专利属于索尼公司;三菱瓦斯化学株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过索尼公司;三菱瓦斯化学株式会社授权不得商用。
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提供洗涤方法以及使用该洗涤方法的半导体装置的制备方法，该洗涤方法为除去基体表面上附着的金属化合物的洗涤方法，其特征在于，该方法包括对上述基体表面供给含有三烯丙基胺和三（３－氨丙基）胺中的至少一种的超临界二氧化碳流体并进行洗涤。对于构成导电层...