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在一种用于横向分离半导体晶片（１）的方法中，提供生长衬底（２），将半导体层序列（３）生长到生长衬底上，其中半导体层序列包括设计为分离层（４）的层和至少一个在生长方向上跟随在分离层（４）之后的功能半导体层（５）。随后，离子穿过功能半导体层（５...该专利属于奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过奥斯兰姆奥普托半导体有限责任公司授权不得商用。
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在一种用于横向分离半导体晶片（１）的方法中，提供生长衬底（２），将半导体层序列（３）生长到生长衬底上，其中半导体层序列包括设计为分离层（４）的层和至少一个在生长方向上跟随在分离层（４）之后的功能半导体层（５）。随后，离子穿过功能半导体层（５...