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本发明能够提高非易失性存储器的数据保持特性。在半导体基板１Ｓ的主面上，配置着主电路区域Ｎ及快闪存储器的存储单元阵列ＭＲ。在存储单元阵列ＭＲ中配置着信息电荷蓄积用浮栅电极ＦＧ，而在主电路区域Ｎ中，配置着构成主电路的ＭＩＳ.ＦＥＴ的栅电极Ｇ。在...
该专利属于株式会社瑞萨科技所有，仅供学习研究参考，未经过株式会社瑞萨科技授权不得商用。

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