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本发明公开了一种耐高压的横向双扩散ＭＯＳ晶体管，属于微电子半导体器件领域。该器件包括栅区、源区、漏区、体区、栅介质以及漂移区，所述漂移区位于体区和漏区之间，掺杂类型与体区相反，在所述漂移区内设有一绝缘介质区和一与漂移区掺杂类型相反的掺杂区，...
该专利属于北京大学所有，仅供学习研究参考，未经过北京大学授权不得商用。

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