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本发明提供了一种半导体器件，包括：衬底；在所述衬底上形成的绝缘膜；掩埋在所述绝缘膜中的铜互连，具有多个在其表面上形成的凸起物；在所述绝缘膜和铜互连上形成的第一绝缘夹层；在所述第一绝缘夹层上形成的第二绝缘夹层；以及在所述第二绝缘夹层上形成的导...
该专利属于恩益禧电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恩益禧电子股份有限公司授权不得商用。

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