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本发明涉及一种半导体器件。该半导体器件具有沟槽隔离结构和包含至少一个阱区域、ＭＯＳ晶体管和用于电连接各个元件的互连的高压电路部分。用于防止反型层形成的电极形成靠近该阱区域的端部的该沟槽隔离区域之上并且在该互连之下的区域中，用于防止由于该互连...
该专利属于精工电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过精工电子有限公司授权不得商用。

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