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本发明涉及微机电技术领域，公开了一种基于二氧化硅特性制作热剪切应力传感器的方法，该方法包括：Ａ、在硅片的正面和背面淀积二氧化硅薄膜；Ｂ、保护正面，对背面进行光刻，刻蚀形成二氧化硅薄膜窗口以及划片槽；Ｃ、在正面淀积多晶硅薄膜，进行磷重掺杂，光...
该专利属于中国科学院微电子研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院微电子研究所授权不得商用。

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