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一种用于形成金属碳化物层的方法，其开始以提供衬底、有机金属前体材料、至少一种掺杂剂如氮气、以及等离子体如氢等离子体。所述衬底被放置在反应室内；并加热。从而进行工艺循环，其中所述工艺循环包括脉冲有机金属前体材料到所述反应室中，脉冲掺杂剂到所述...
该专利属于英特尔公司所有，仅供学习研究参考，未经过英特尔公司授权不得商用。

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