下载半导体存储装置及其制造方法的技术资料

文档序号:3171719

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

在硅基板表面上将第1绝缘膜(硅氧化膜)、第2绝缘膜(铝氧化膜)按照该顺序层积,形成栅极绝缘膜,使第1绝缘膜的一部分中含有作为构成第2绝缘膜的元素的至少一种元素、且与第1绝缘膜的整个区域中共同含有的元素不同的元素(铝),在第1绝缘膜上形成电荷...
该专利属于日本电气株式会社所有,仅供学习研究参考,未经过日本电气株式会社授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。