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通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺制造技术
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文档序号:3171613
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本发明涉及了一种通过新结构提高出光效率的发光二极管芯片及其制造工艺,包括包基材、芯片发光部分;其特征在于有一个上表面淀积一层绝缘层的导热性能优越的基材,其上刻蚀出跟所述芯片部分匹配的凹槽,在凹槽内部表面淀积有反光层,芯片发光部分被植入凹槽,...
该专利属于上海大学;梁秉文所有,仅供学习研究参考,未经过上海大学;梁秉文授权不得商用。
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