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一种半导体基板上的非易失性存储器，该非易失性存储器包括半导体基层和可编程存储晶体管，该存储晶体管包括存储堆叠、控制栅、源区和漏区以及在源极和漏极中间的沟道。所述存储堆叠包括第一绝缘层（９）、阻挡层（１０）和第二绝缘层（１１）。将第一层定位在...
该专利属于NXP股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过NXP股份有限公司授权不得商用。

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