温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种非易失性存储器形成为在浮动栅极之间具有浅沟槽隔离结构且具有在浮动栅极之间在浅沟槽隔离电介质被蚀刻处延伸的控制栅极。使用离子植入以产生与下伏电介质相比具有高蚀刻速率的介电层来实现对蚀刻深度的控制。导电层在植入期间上覆于衬底上。在存储器阵列...
该专利属于桑迪士克股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过桑迪士克股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。