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本发明提供一种在衬底（３０）中具有经图案化埋入式掺杂区（３３）的固态成像器装置（２０），所述掺杂区优选为ｎ＋掺杂区，其在固态成像器装置中收集多余电子，且因此减少串扰，最小化多余电子的溢出并减少暗电流，且本发明提供一种相应的制造方法。...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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