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本发明揭示一种经改善的基于隐藏式晶闸管的存储器单元。在一个实施例中，所述所揭示单元包含隐藏在衬底的体中的导电插塞，所述导电插塞耦合到或包含所述单元的启用栅极。垂直设置在所述隐藏式栅极周围的是晶闸管，其阳极（源极；ｐ型区）连接到位线，且阴极（...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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