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本发明涉及半导体制造技术领域，公开了一种避免焊盘结晶型缺陷的晶圆制造方法，包括在设有焊盘结构的晶圆上沉积钝化层、制备焊盘刻蚀开口并刻蚀、灰化处理后采用不含氢氟酸的DSP混合酸进行清洗、将清洗后的晶圆转移至专用晶舟盒中、填充氮气并基于此完成晶...
该专利属于恒烁半导体（合肥）股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过恒烁半导体（合肥）股份有限公司授权不得商用。

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