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本发明涉及在单晶衬底上制备ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜的方法。本发明是采用两步方法制备ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜：先在单晶衬底上低温淀积一层ＣｅＯ↓［２］薄膜，然后在高温下再淀积一层ＣｅＯ↓［２］薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成ＣｅＯ↓［２］隔...
该专利属于南开大学所有，仅供学习研究参考，未经过南开大学授权不得商用。

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