在单晶衬底上制备CeO*隔离层薄膜的方法技术

本发明专利技术涉及在单晶衬底上制备ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜的方法。本发明专利技术是采用两步方法制备ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜：先在单晶衬底上低温淀积一层ＣｅＯ↓［２］薄膜，然后在高温下再淀积一层ＣｅＯ↓［２］薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜。在制作高温超导薄膜过程中，采用本发明专利技术制作的ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜能有效地隔离单晶衬底材料与高温超导薄膜之间的互扩散，并调整与高温超导薄膜之间的晶格匹配，以获得外延生长和平整表面形貌，以及高性能的高温超导薄膜。

【技术实现步骤摘要】
在单晶衬底上制备CeCh隔离层薄膜的方法
:本专利技术属于高,导材料
，涉及高，导薄膜材料所用隔离层的制备方法， 特别是涉及至USM^石、氧化镁、YSZ、和有织构的^M材料辭寸底上生长高^导薄M0f需要的 Ce02隔离层的制备方法。背景細高质量的高鹏导薄膜，顿导电子器件，尤其是微波无源器件細方面具有重要 的意义。跑石(A1203)、氧化镁(MgO)、锐稳定氧化锆(YSZ)等单晶材料常用作高^g导薄 膨寸底材料。但由于这些衬底材料的晶格与高温超导材料的晶格不匹配，和/，高温下制作超导 薄膜的过程中这些衬底材料与超导材料之间会产生化学元素的扩散，导致不倉遣離i怖出高质量 的高、鹏导薄膜。要在^^衬底材料上制做高M导薄膜时，需要先制作一层隔离层薄膜，然后 再在隔离层薄ai:制作高，导薄膜。氧化铈(Ce02)是常用的隔离层材料之一。Ce02隔离层薄膜 效果的好坏与制作隔离层薄膜的工艺和隔离层薄膜的质量有密切的M。人们在淀积CeCh隔离层 薄膜时常采用一个基片温度，如果^31低，Ce02薄膜的结晶颗禾姐小、和/或晶格取向不能满足 高鹏导薄隞卜延生长的需要；如果離过高，会导致衬底材料中本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种在单晶衬底上制备ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜的方法，其特征在于所述的ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜采用两步法淀积工艺，即在单晶衬底基片的一面或两面上先低温淀积一层ＣｅＯ↓［２］薄膜，然后在高温下再淀积一层ＣｅＯ↓［２］薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成ＣｅＯ↓［２］隔离层薄膜，其中低温淀积温度为２００℃－５００℃；高温淀积温度为６００℃－９００℃。

【技术特征摘要】
1、一种在单晶衬底上制备CeO2隔离层薄膜的方法，其特征在于所述的CeO2隔离层薄膜采用两步法淀积工艺，即在单晶衬底基片的一面或两面上先低温淀积一层CeO2薄膜，然后在高温下再淀积一层CeO2薄膜，两次淀积的薄膜结合在一起构成CeO2隔离层薄膜，其中低温淀积温度为200℃-500℃；高温淀积温度为600℃-900℃。2、 按照权利要求1所述的方法，，征在于所述的Ce02隔离层薄膜两步法淀积01艺是原位 连變淀积，縱异位分别淀积。3、 按照权利要求1或2所述的方法，，征在于Ce02隔离层薄膜的厚度在3nm-lnm之间。4、 按照权...

【专利技术属性】
技术研发人员：阎少林，谢清连，赵新杰，方兰，
申请(专利权)人：南开大学，
类型：发明
国别省市：12[中国|天津]