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本发明提供了一种掩模布局方法、半导体器件及其制造方法。所述半导体器件可包括主图案，第一虚设图案以及第二虚设图案。所述主图案可沉积于衬底上。所述第一虚设图案和所述第二虚设图案可围绕所述主图案的侧边沉积。所述第一虚设图案具有内部开放区域。所述第...
该专利属于东部高科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过东部高科股份有限公司授权不得商用。

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