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本发明属于静电释放(ESD)保护器件设计领域，具体提供一种优化ESD防护性能的DCSCR器件，用以满足先进工艺下的集成电路对ESD防护的低触发电压、高灵敏度、低寄生电容、小面积等要求。本发明通过对传统DCSCR器件结构改进，通过将N型阱区内...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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