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依照本发明，提供集成电路（１００）及其制造方法，该集成电路包含半导体衬底（１０５），该半导体衬底包含装置元件和互连装置元件并具有最上层（１１５）的金属化层（１１０）。该集成电路也可以包括在金属化层上面形成的保护性涂层（１２０），该保护性涂层...
该专利属于德克萨斯仪器股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过德克萨斯仪器股份有限公司授权不得商用。

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