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本发明提供了一种硅基电容集成结构及其制备方法，该硅基电容集成结构包括：衬底，隔离层，隔离层形成在衬底上；下电极层，下电极层设置在隔离层上；台阶结构，台阶结构设置在下电极层上，台阶结构内包围有至少一层介电层，介电层覆盖在下电极层上；上电极层，...
该专利属于赫芯（浙江）微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过赫芯（浙江）微电子科技有限公司授权不得商用。

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