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在至少一个ＰＦＥＴ和至少一个ＮＦＥＴ上形成应力传递电介质层。诸如氮化硅的拉应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个ＮＦＥＴ上。可以是耐熔金属氮化物膜的压应力产生膜通过均厚沉积和构图形成在至少一个ＰＦＥＴ上。密封电介质膜沉积在压应力产生膜之...
该专利属于国际商业机器公司所有，仅供学习研究参考，未经过国际商业机器公司授权不得商用。

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