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在半导体器件的制造方法中，在半导体衬底（１１）上形成元件分离用沟槽（１４）；在半导体衬底的整个面上，中间隔着绝缘薄膜（１２、７２）形成具有不能完全填埋所述沟槽的厚度的第一多晶硅膜（１５ａ、３５ａ）；以杂质不穿透衬底表面的能量，向所述第一多晶...
该专利属于富士通株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过富士通株式会社授权不得商用。

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