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一种用于加工集成电路的方法，其中负载效应减少，所述方法包括：　提供衬底，所述衬底的特征在于第一厚度；　形成覆盖衬底的中间金属介电层；所述中间金属介电层的特征在于第二厚度；　形成覆盖中间金属介电层的第一光刻胶层，所述第一光刻胶层与第一图案相关...
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