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本发明提供一种集成电路中铝互连线的结构及其制成方法，该方法首先提供一硅衬底，并在硅衬底上形成一钛金属层，随后将该钛金属层暴露于含有氧气的气体环境中，形成氧化钛层，再将氮化钛层沉积于氧化钛层上，最后在所述氧化钛层上形成铝传导层，即可完成本发明...
该专利属于上海宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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