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本发明公开了一种半导体器件及其制造方法。本发明更具体地公开一种制造晶体管的方法，所述方法包括：在衬底上形成栅极以形成第一所得结构，在所述栅极的第一侧壁和第二侧壁形成栅极间隔物，蚀刻邻近所述栅极间隔物的所述衬底的部分以在衬底的源极区／漏极区形...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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