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本发明涉及一种利用均匀纳米粒子点阵提高厚膜ＧａＮ质量的方法，其特征在于采用了纳米量级的ＳｉＯ↓［２］、ＳｉＯ或Ｓｉ↓［ｘ］Ｎ↓［ｙ］等点阵作为ＧａＮ外延掩模。在氢化物气相外延之前，先在ＧａＮ模板上电子束蒸发一层金属Ａｌ，再采用电化学的方法生...
该专利属于中国科学院上海微系统与信息技术研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海微系统与信息技术研究所授权不得商用。

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