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本发明公开了一种元胞形成方法和一种具有外延片的晶圆，用以解决现有半导体器件有效管芯区内的源漏导通电阻较大的问题。该方法包括：在主平边对位于＜１１０＞晶向的外延片的表面，沿着与＜１１０＞晶向成４５度角的方向印出多条平行且间距相等的第一沟线；并...该专利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司授权不得商用。