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一种具有浮体单元结构的半导体器件，所述半导体器件包括：　管型通道，其形成于半导体基板上并与第一导线和第二导线连接；　偏压电极，其形成于所述管型通道中并与所述半导体基板连接；　绝缘膜，其位于所述管型通道和所述偏压电极之间；以及　围绕型栅电极，...
该专利属于海力士半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过海力士半导体有限公司授权不得商用。

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