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本发明提供了一种半导体器件的栅极形成方法，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面具有介质层；在所述介质层表面形成多晶硅层；在所述多晶硅层表面形成硬掩膜层；在所述硬掩膜层表面形成光致抗蚀剂图形；以所述光致抗蚀剂图形为掩膜刻蚀所述硬掩膜层形成...
该专利属于中芯国际集成电路制造（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造（上海）有限公司授权不得商用。

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