温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及晶体管器件制造方法，涉及半导体集成电路技术，在包括核心器件和输入输出器件的晶体管器件制造过程中，由场氧化层在半导体衬底上隔离出核心器件区域的有源区和输入输出器件区域的有源区，通过用掩膜层将核心器件区域的有源区显开，而在核心器件区域...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。