温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开一种在射频磁化容性耦合放电装置中增强放电的方法，涉及半导体芯片刻蚀技术领域，包括：构建射频磁化容性耦合放电装置；调节所述射频磁化容性耦合放电装置的磁感应强度，使所述磁感应强度满足关系式B＝(π
...
该专利属于大连理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过大连理工大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。