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本申请提供了三维存储器及制备三维存储器的方法，该方法包括：在衬底上形成由绝缘层和牺牲层交替层叠的堆叠结构；形成贯穿堆叠结构的沟道孔，并且沟道孔延伸至衬底内以形成底部沟槽，底部沟槽的内表面存在缺陷层；在还原性气体的气氛下，利用激光照射底部沟槽...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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