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晶片键合结构及其制作方法技术
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文档序号:31571803
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本申请公开了晶片键合结构及其制作方法。该晶片键合结构的第一键合层和第二键合层彼此接触以提供第一晶片和第二晶片彼此键合,第一键合层和第二键合层的接触面为键合面,第一晶片的第一导电通道和第二晶片的金属图案彼此连接以提供所述第一晶片和所述第二晶片...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有,仅供学习研究参考,未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。
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