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直流工作的介质层组分渐变薄膜场发射阴极，涉及一种直流驱动方式工作的平面型场发射阴极的结构设计。本发明由玻璃基板、下电极、介质层和上电极组成，所述的介质层是由低电子亲和势材料逐步变化到高电子亲和势材料的组分渐变介质构成的。本发明适于直流驱动方...
该专利属于清华大学;上海广电电子股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;上海广电电子股份有限公司授权不得商用。

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