下载半导体结构及其形成方法的技术资料

文档序号:31561250

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体结构及其形成方法,所述半导体结构包括:衬底,衬底上具有若干相互分立的鳍部;位于衬底上的栅极结构,所述栅极结构横跨所述鳍部,且覆盖鳍部的部分侧壁与顶部表面;位于栅极结构两侧的源漏掺杂层;位于栅极结构一侧或两侧的导电层,导电层连接若干...
该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示:您尚未登录,请点 登陆 后下载,如果您还没有账户请点 注册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。