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为使溅射材料的利用率及磁控管溅射源的靶寿命最佳化并且同时使基片覆层具有可良好获得的分布值，在整个靶寿命期间内保持稳定地在这样的布置结构中形成一凹形的溅射面（２０），即该布置结构有较小的靶－基片间距（ｄ）并且还组合有一个用于形成磁控管电子阱的...
该专利属于尤纳克西斯巴尔策斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过尤纳克西斯巴尔策斯公司授权不得商用。

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