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本发明涉及一种场发射元件的制备方法，特别涉及一种碳纳米管场发射阴极的制备方法。该碳纳米管场发射阴极的制备方法包括下列步骤：提供适量碳纳米管并配成悬浮液；提供一基板，该基板上形成有电极；在该基板上印刷一层导电浆料；将碳纳米管悬浮液分布到该导电...
该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学;鸿富锦精密工业（深圳）有限公司授权不得商用。

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