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用于制造具有通过真空处理过程处理的表面的基片的方法，其中所述表面具有处理结果的预定的表面分布，其特征在于，　　　　－以局部不均匀的密度分布实现等离子体放电；　　　　－使所述基片受到不均匀密度分布的等离子体放电的作用；　　　　－通过以下方式实...
该专利属于尤纳克西斯巴尔策斯公司所有，仅供学习研究参考，未经过尤纳克西斯巴尔策斯公司授权不得商用。

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