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本发明提供了一种氟离子掺杂磷化钴材料的制备方法。本发明采取了固相反应法制备了生长于CFP上的CoP材料，并通过氟离子掺杂，在保持CoP材料微观结构不变的前提下制备了生长于CFP上的CoP|F材料。该制备方法可以通过仅改变CFP面积实现材料的...
该专利属于中国科学技术大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学技术大学授权不得商用。

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