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提供了生长碳纳米管和采用所述碳纳米管制造场致发射器件的方法。所述的生长碳纳米管的方法包括：制备衬底；在所述衬底上形成催化剂金属层，以促进碳纳米管的生长；形成局部覆盖所述催化剂金属层的无定形碳层；以及从未被无定形碳层覆盖的催化剂金属层的表面生...
该专利属于三星SDI株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星SDI株式会社授权不得商用。

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