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本发明公开了一种基于盖帽层和背势垒层的双异质结HEMT器件及其制备方法，包括：在第一衬底上进行离子注入，形成第二衬底；在第二衬底上形成键合中间层，并将β
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该专利属于瑶芯微电子科技（上海）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过瑶芯微电子科技（上海）有限公司授权不得商用。

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