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本发明提供了一种Cu/Cu2S/Al结构宏观忆阻器及制备方法，在平整的绝缘基底材料上，绝缘基底的其中一侧表面上设有硫化亚铜层的金属铜片，将金属铜片腐蚀得到硫化亚铜薄膜区域，在绝缘基底材料上金属铜片未覆盖区域设置一个铝电极接线柱，在金属铜片上...
该专利属于西北工业大学所有，仅供学习研究参考，未经过西北工业大学授权不得商用。

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