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本发明公开了一种片上集成倍频器件及其制备方法，其中片上集成倍频器件包括：铌酸锂衬底；导电金属层，设置在所述铌酸锂衬底上；二氧化硅层，设置在所述导电金属层上；啁啾极化铌酸锂薄膜层，设置在所述二氧化硅层上，包括多个依次排列且长度不等的畴结构，多...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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