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本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源,其包括:一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层,该导电基体具有一顶部,该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接,另一端沿该导电基体顶部向外延伸,该表面修饰层均匀分布和浸润于该碳纳米管的表面,并覆盖该碳纳米...该专利属于清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过清华大学;鸿富锦精密工业(深圳)有限公司授权不得商用。
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本发明涉及一种碳纳米管场发射电子源,其包括:一导电基体、至少一碳纳米管和一表面修饰层,该导电基体具有一顶部,该碳纳米管一端与该导电基体顶部电性连接,另一端沿该导电基体顶部向外延伸,该表面修饰层均匀分布和浸润于该碳纳米管的表面,并覆盖该碳纳米...