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本发明涉及电磁屏蔽材料技术领域，具体涉及一种具有垂直分层微结构的石墨烯电磁屏蔽材料及其制备方法与应用。本发明首次提出一种具有垂直分层微结构的三维石墨烯电磁屏蔽材料，其是以氧化石墨烯薄膜为基底，利用激光划刻技术构筑垂直分层微结构。相对于MXe...
该专利属于清华大学所有，仅供学习研究参考，未经过清华大学授权不得商用。

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