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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上形成有图形传递材料层;进行第一离子注入,向图形传递材料层中掺杂第一离子,形成排布方向为第一方向的第一掺杂掩膜层;在第二方向上,在第一掺杂掩膜层两侧的图形传递材料层中形成第一沟槽,露出第一...该专利属于中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。
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一种半导体结构及其形成方法,方法包括:提供基底,基底上形成有图形传递材料层;进行第一离子注入,向图形传递材料层中掺杂第一离子,形成排布方向为第一方向的第一掺杂掩膜层;在第二方向上,在第一掺杂掩膜层两侧的图形传递材料层中形成第一沟槽,露出第一...