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一种半导体结构及其形成方法、掩膜版，形成方法包括：提供基底，基底包括第一器件区和两个相邻的第二器件区，基底包括衬底、分立于衬底上的沟道结构，沟道结构的延伸方向与第一器件区和第二器件区的交界处延伸方向相同，基底还包括横跨沟道结构的栅极结构，栅...
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