温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明涉及半导体器件外延工艺，涉及半导体集成电路制造技术，在形成有多个伪栅极结构的半导体衬底上，通过刻蚀工艺在伪栅极结构的两侧自对准形成凹槽；通过外延工艺在凹槽的内侧表面形成初始籽晶层，初始籽晶层位于凹槽底部的厚度较厚，而侧壁较薄；纵向刻蚀...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。